BC817-40 vs BC817-40-RF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BC817-40 par Nexperia et BC817-40-RF par Taiwan Semiconductor. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BC817-40 | BC817-40-RF |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | Taiwan Semiconductor |
| Catégorie | Transistors | Transistors |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,03 |
| Type de transistor | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Boîtier | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236), 3 pins |
| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 45 V | 45 V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| Tension émetteur-base (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 0.5 A |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| Fréquence de transition (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -65 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per manufacturer product page) |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| DC Current Gain (hFE) Bin | — | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 310 mW |
| Lead-Free | — | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) |
| PNP Complement | — | BC807 series |