BC817-40 vs BC817-40-RF 비교
다음의 상세 나란히 비교: BC817-40 제조: Nexperia 및 BC817-40-RF 제조: Taiwan Semiconductor. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BC817-40 | BC817-40-RF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nexperia | Taiwan Semiconductor |
| 카테고리 | Transistors | Transistors |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.02 | $0.03 |
| 트랜지스터 유형 | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| 패키지 | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236), 3 pins |
| 컬렉터-이미터 전압 (Vceo) | 45 V | 45 V |
| 컬렉터-베이스 전압 (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| 이미터-베이스 전압 (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 0.5 A |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| 전이 주파수 (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| 동작 접합 온도 | -65 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per manufacturer product page) |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| DC Current Gain (hFE) Bin | — | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 310 mW |
| Lead-Free | — | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) |
| PNP Complement | — | BC807 series |