BC817-40 vs BC817-40-RF 比較
詳細な並列比較: BC817-40 メーカー: Nexperia および BC817-40-RF メーカー: Taiwan Semiconductor。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BC817-40 | BC817-40-RF |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | Taiwan Semiconductor |
| カテゴリ | Transistors | Transistors |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.02 | $0.03 |
| トランジスタタイプ | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| パッケージ | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236), 3 pins |
| コレクタ-エミッタ間電圧（Vceo） | 45 V | 45 V |
| コレクタ-ベース間電圧（Vcbo） | 50 V | 50 V |
| エミッタ-ベース間電圧（Vebo） | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 0.5 A |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| 遷移周波数（ft） | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| 動作接合温度 | -65 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant (per manufacturer product page) |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| DC Current Gain (hFE) Bin | — | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 310 mW |
| Lead-Free | — | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) |
| PNP Complement | — | BC807 series |