BD249C vs BD249C-S Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BD249C par onsemi et BD249C-S par Bourns. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BD249C BD249C-S
Marque onsemi Bourns
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,82 $1,10
Polarity NPN —
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 100 V 100 V
Continuous Collector Current 25 A —
Peak Collector Current 40 A —
Power Dissipation (at 25 C case) 125 W —
Fréquence de transition (ft) 3 MHz 3 MHz
Complementary PNP Part BD250 series —
Boîtier SOT-93 (through hole) SOT-93 (TO-218), 3 pins, through hole
Type de montage Through Hole Through Hole
Type de transistor Single Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
ESD Rating - Machine Model > 400 V (Class C) —
ESD Rating - Human Body Model > 8000 V (Class 3B) —
Flammability Rating UL 94 V-0 @ 0.125 in UL 94 V-0 @ 0.125 in (epoxy, family data)
Lead-Free (Pb-Free) Package Available —
Operating Case Temperature [DATA_NEEDED: operating case temperature range] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE range] [DATA_NEEDED: hFE range and test conditions]
Collector-Base Voltage (VCB) — 100 V
Emitter-Base Voltage (VEB) — 5 V
Collector Current (Continuous) — 25 A
Collector Current (Peak) — 40 A
Total Power Dissipation (TC = 25 C) — 125 W
Power Derating — 1.0 W/C above 25 C case temperature
Nombre de broches — 3
Series Grade — BD249C (C grade, highest VCEO in BD249 series)
Complementary Device — BD250 series (PNP)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: storage/operating junction temperature range]
ESD Rating (HBM) — Class 3B, > 8000 V (per onsemi BD249C family data)
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status for BD249C-S specifically]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis