BSC009NE2LSATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC009NE2LSATMA1 par Infineon et BSC009NE2LS5IATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC009NE2LSATMA1 | BSC009NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,38 | $1,02 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 25V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS™ 5 (25V/30V family) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_a | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_c | 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 255 A | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation (T_a) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_c) | 96 W | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | -55°C to +150°C |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer Part Number | — | BSC009NE2LS5IATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) max | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | 20 V |
| Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | 1.7 V (range 1.0-2.0 V) |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C | — | 217 A (pulsed, datasheet rating) |
| Power Dissipation (P_D) @ T_A | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D) @ T_C | — | 74 W |
| Total Gate Charge (Q_G) typ | — | 23 nC @ V_GS=0-4.5V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 3200 pF |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Terminal Finish | — | Matte Tin (e3 per JESD-609) |
| Number of Terminals | — | 8 |