BSC009NE2LSATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC009NE2LSATMA1 제조: Infineon 및 BSC009NE2LS5IATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC009NE2LSATMA1 BSC009NE2LS5IATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.38 $1.02
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 25V —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS™ 5 (25V/30V family)
Drain-Source Voltage (V_DS) 25 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_a 41 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_c 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey) —
Pulsed Drain Current (I_DM) 255 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (T_a) 2.5 W —
Power Dissipation (T_c) 96 W —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
동작 온도 범위 -55C to +150C (TJ) -55°C to +150°C
패키지 / 케이스 PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
MSL 레벨 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer Part Number — BSC009NE2LS5IATMA1
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Configuration — Single with built-in diode
Drain-Source Voltage (V_DS) max — 25 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — 20 V
Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ — 1.7 V (range 1.0-2.0 V)
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.95 mΩ
Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C — 40 A
Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C — 217 A (pulsed, datasheet rating)
Power Dissipation (P_D) @ T_A — 2.5 W
Power Dissipation (P_D) @ T_C — 74 W
Total Gate Charge (Q_G) typ — 23 nC @ V_GS=0-4.5V
Input Capacitance (C_iss) typ — 3200 pF
패키지 — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Terminal Finish — Matte Tin (e3 per JESD-609)
Number of Terminals — 8

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