BSC076N04NDATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC076N04NDATMA1 par Infineon et IAUC50N08S5N102ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC076N04NDATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) —
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-33
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C
Qualification — AEC-Q101
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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