BSC076N04NDATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC076N04NDATMA1 por Infineon e IAUC50N08S5N102ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC076N04NDATMA1 IAUC50N08S5N102ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 OptiMOS 5
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W —
Power Dissipation (Tc) 65 W —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) —
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-33
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 50 A
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 1394 pF @ 40 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 60 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C
Qualification — AEC-Q101
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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