BSC076N04NDATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC076N04NDATMA1 제조: Infineon 및 IAUC50N08S5N102ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC076N04NDATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.82 | $0.51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 |
| Configuration | Dual N-Channel (independent MOSFETs) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (max, typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-Resistance RDS(on) max | 7.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 65 W | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 3) | — |
| Qgd/Qgs Ratio | < 0.8 (high shot-through immunity) | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-33 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS / Pb-Free | Compliant (Pb-free plating) | — |
| FET Type | 2x N-Channel MOSFET array | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +175°C |
| Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |