BSC0993NDATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0993NDATMA1 par Infineon et BSC155N06NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0993NDATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,32 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) Dual N-channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Boîtier PG-TISON-8 PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-channel trench)
Channel Mode Enhancement —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C
ESD Protection Yes (integrated) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

Fiches techniques et ressources

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