BSC0993NDATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0993NDATMA1 por Infineon e BSC155N06NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0993NDATMA1 BSC155N06NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,32 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) Dual N-channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Encapsulamento PG-TISON-8 PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-channel trench)
Channel Mode Enhancement —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C
ESD Protection Yes (integrated) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

Fichas técnicas e recursos

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