BSC0993NDATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC0993NDATMA1 メーカー: Infineon および BSC155N06NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC155N06NDATMA1 BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 - Dual 60V 20A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC155N06NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC0993NDATMA1 BSC155N06NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.32 $0.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) Dual N-channel MOSFET array
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
パッケージ PG-TISON-8 PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-channel trench)
Channel Mode Enhancement —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C
ESD Protection Yes (integrated) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead-Free Yes —
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Part Number — BSC155N06NDATMA1
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 15.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Lead-Free Plating — Yes
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs — < 0.8

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