BSC0993NDATMA1 vs BSC155N06NDATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC0993NDATMA1 제조: Infineon 및 BSC155N06NDATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC0993NDATMA1 | BSC155N06NDATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.32 | $0.62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | Dual N-channel MOSFET array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| 패키지 | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-channel trench) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Part Number | — | BSC155N06NDATMA1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 20 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 15.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Lead-Free Plating | — | Yes |
| Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs | — | < 0.8 |