BSC340N08NS3GATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC340N08NS3GATMA1 par Infineon et ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC340N08NS3GATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC340N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 7 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 92 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 34 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2.35 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (Tc) | 32 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free | Yes (RoHS compliant) |
| Channel Type | Single N-Channel | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |