BSC340N08NS3GATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon e ISC028N03LF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC340N08NS3GATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,81 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC340N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-Channel Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 7 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 92 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 34 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2.35 V |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (Tc) | 32 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / Lead-Free | RoHS compliant, lead-free | Yes (RoHS compliant) |
| Channel Type | Single N-Channel | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55 C to +175 C |