BSC340N08NS3GATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC340N08NS3GATMA1 제조: Infineon 및 ISC028N03LF2SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 - 80V 23A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC340N08NS3GATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC340N08NS3GATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.81 $0.86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.35 V
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
동작 온도 범위 -55C to +150C —
패키지 PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free Yes (RoHS compliant)
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C

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