BSD235CH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSD235CH6327XTSA1 par Infineon et BSL308CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSD235CH6327XTSA1 | BSL308CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,12 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS™ | — |
| Configuration | N+P complementary dual MOSFET | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | 30 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | 950 mA | — |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | 530 mA (negative polarity) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | 500 mW |
| Package Type | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ low-voltage | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Polarity | N-channel + P-channel | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Nombre de broches | 6 | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs |
| Boîtier | — | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | — | 2.3 A |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | — | 2 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 18 pF |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product family convention) |