BSD235CH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSD235CH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSL308CH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSD235CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.12 $0.21
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (junction) -55 °C to +150 °C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS ステータス Compliant (lead-free) Compliant
MSLレベル 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
ピン数 6 —
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
パッケージ — PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes (per Infineon product family convention)

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