BSP296NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP296NH6327XTSA1 par Infineon et BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,33 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 1.2 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 600 mOhm —
Boîtier PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Standard Packaging Tape & Reel, 1000 pcs/reel —
Technology Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)

Fiches techniques et ressources

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