BSP296NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP296NH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS214NWH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-223 | Infineon

BSP296NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-223 | Infineon

BSP296NH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.33 $0.15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 1.2 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 600 mOhm —
パッケージ PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Standard Packaging Tape & Reel, 1000 pcs/reel —
Technology Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
動作温度 — -55C to +150C (junction)

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