BSP296NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP296NH6327XTSA1 von Infineon und BSS214NWH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,33 $0,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 1.2 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 600 mOhm —
Gehäuse PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Standard Packaging Tape & Reel, 1000 pcs/reel —
Technology Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)

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