BSP296NH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 비교

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Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.33 $0.15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP296NH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
FET Type N-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 1.2 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 600 mOhm —
패키지 PG-SOT223-4 (4-pin, 3 leads + tab) PG-SOT323 (SOT-323-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 -55C to +150C (junction) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Standard Packaging Tape & Reel, 1000 pcs/reel —
Technology Trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Series — OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
동작 온도 — -55C to +150C (junction)

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