BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002LT1G Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS123NH6327XTSA1 par Infineon et 2N7002LT1G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS123NH6327XTSA1 | 2N7002LT1G |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | onsemi |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,09 | $0,02 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | onsemi (ON Semiconductor) |
| Part Number | BSS123NH6327XTSA1 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 190 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| RDS(on) Max | 6 Ω @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] | — |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | ±20 V | — |
| Boîtier | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (TO-236) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Qualification | AEC-Q101 (automotive) | — |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free lead plating) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Channel Mode | — | Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 60 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 115 mA (Tc) |
| Power Dissipation PD | — | 225 mW (Ta) |
| Maximum RDS(on) | — | 7.5 ohm @ VGS = 5 V |
| Configuration | — | Single FET |
| Nombre de broches | — | 3 |
| Catégorie | — | Small Signal MOSFET |
| Technology | — | MOSFET |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: packaging type] |