BSS123NH6327XTSA1 vs 2N7002LT1G Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSS123NH6327XTSA1 от Infineon и 2N7002LT1G от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Активен
onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSS123NH6327XTSA1 2N7002LT1G
Бренд Infineon onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,09 $0,02
Manufacturer Infineon Technologies onsemi (ON Semiconductor)
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
Корпус PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55 °C to +150 °C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Qualification AEC-Q101 (automotive) —
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Количество выводов — 3
Категория — Small Signal MOSFET
Technology — MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену