BSZ215CHXTMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSZ215CHXTMA1 par Infineon et BSZ0501NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSZ215CHXTMA1 BSZ0501NSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $0,29
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id) 5.1 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id) 3.2 A —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)] —
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)] —
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Boîtier PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Fiches techniques et ressources

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