BSZ215CHXTMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSZ215CHXTMA1 por Infineon e BSZ0501NSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSZ215CHXTMA1 BSZ0501NSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,36 $0,29
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) 20 V 30 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id) 5.1 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id) 3.2 A —
Power Dissipation (Pd) 2.5 W —
On-State Resistance - N-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: N-channel Rds(on)] —
On-State Resistance - P-channel max (Rds(on)) [DATA_NEEDED: P-channel Rds(on)] —
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Encapsulamento PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (100% lead-free) —
Avalanche Rated Yes —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação