BTH60801EPLXUMA1 vs BTM9011EPXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTH60801EPLXUMA1 par Infineon et BTM9011EPXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTH60801EPLXUMA1 BTM9011EPXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Motor Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,74 $1,62
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Number of Channels 1 —
Topologie High-Side N-Channel MOSFET with Charge Pump Full-bridge (H-bridge) with integrated power MOSFETs
On-State Resistance (RDS(on)) 80 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 2.5 A —
Operating Voltage Range 4 V to 54 V —
Nominal Board Net 48 V (PROFET+ 48V family) —
Current Limitation Adjustable Min, integrated
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Input Logic Active High and Active Low —
Protection Features Overtemperature, Overvoltage, Undervoltage, Short Circuit —
Boîtier PG-TSDSO-14 (exposed pad) PG-TSDSO-14 with exposed pad
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +150 °C (Tj) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified AEC-Q100
Statut RoHS Compliant —
Output Current Limit — 10 A (typ)
Path Resistance (per HS+LS) — 175 mΩ typical at 25 °C
Pulse Current (tpulse ≤ 1 s at 85 °C) — 5.2 A
Pulse Current (tpulse ≤ 10 s at 85 °C) — 4.2 A
Supply Voltage Range (normal) — 7 V to 18 V
Supply Voltage Range (extended) — 4.5 V to 40 V
PWM Frequency — up to 20 kHz
Interface — SPI (status, configuration, diagnostics)
Technology — BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) monolithic
Operating Temperature (junction) — -40 °C to +150 °C

Fiches techniques et ressources

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