EPM570GF256C4N vs 5M2210ZF256C4N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPM570GF256C4N par Altera et 5M2210ZF256C4N par Altera. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Altera
EPM570GF256C4N - 570 LEs CPLD, 4ns, 212 I/O, FBGA-256 | Intel / Altera
EPM570GF256C4N ✓ ActifAltera
5M2210ZF256C4N - MAX V CPLD, 1700 LE, FBGA-256, C4 Speed | Intel / Altera
5M2210ZF256C4N ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | EPM570GF256C4N | 5M2210ZF256C4N |
|---|---|---|
| Marque | Altera | Altera |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,45 | $7,29 |
| Family | MAX II G | MAX V |
| Device Series | EPM570G | — |
| Logic Elements (LEs) | 570 | 1700 |
| Macrocells | 440 | — |
| User I/Os | 212 | — |
| User Flash Memory (UFM) | 8 Kbits | — |
| Speed Grade | C4 (tPD = 4 ns) | C4 (tPD ~4 ns class) |
| Pin-to-Pin Delay (tPD) | 4 ns | — |
| Internal fMAX | 304 MHz | — |
| Boîtier | 256-ball FineLine BGA (FBGA-256) | FBGA-256 (FineLine BGA) |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| Package Dimensions | 17 x 17 mm | — |
| Core Voltage | 1.8 V | — |
| I/O Bank Voltages (MultiVolt) | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V | — |
| Température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C (industrial) | 0C to 85C (Commercial) |
| Configuration Memory | Flash (non-volatile, instant-on) | — |
| Programming Interface | JTAG (IEEE 1149.1), in-system programmable | JTAG (IEEE 1149.1) / IEEE 1532 ISP |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, FBGA package | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | — |
| Device | — | 5M2210Z |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 221 |
| User Flash Memory | — | 8192 bits |
| Internal RAM | — | 212 Kbits |
| Maximum User I/O (family) | — | 203 |
| User I/O (this package) | — | 160 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.8 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Number of I/O Banks | — | 4 |
| Configuration Method | — | Internal flash (instant-on < 1 ms) |
| Process Technology | — | 0.30 um 6-metal-layer CMOS |
| Statut RoHS | — | Compliant (Pb-free ball finish) |