EPM570GF256C4N vs 5M2210ZF256C4N 비교

다음의 상세 나란히 비교: EPM570GF256C4N 제조: Altera 및 5M2210ZF256C4N 제조: Altera. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 EPM570GF256C4N 5M2210ZF256C4N
브랜드 Altera Altera
카테고리 FPGA & CPLD FPGA & CPLD
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.45 $7.29
Family MAX II G MAX V
Device Series EPM570G —
Logic Elements (LEs) 570 1700
Macrocells 440 —
User I/Os 212 —
User Flash Memory (UFM) 8 Kbits —
Speed Grade C4 (tPD = 4 ns) C4 (tPD ~4 ns class)
Pin-to-Pin Delay (tPD) 4 ns —
Internal fMAX 304 MHz —
패키지 256-ball FineLine BGA (FBGA-256) FBGA-256 (FineLine BGA)
Ball Pitch 1.0 mm —
Package Dimensions 17 x 17 mm —
Core Voltage 1.8 V —
I/O Bank Voltages (MultiVolt) 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
동작 온도 -40 °C to +125 °C (industrial) 0C to 85C (Commercial)
Configuration Memory Flash (non-volatile, instant-on) —
Programming Interface JTAG (IEEE 1149.1), in-system programmable JTAG (IEEE 1149.1) / IEEE 1532 ISP
Lead-Free / RoHS Lead-free, FBGA package —
실장 유형 Surface Mount (BGA) —
Device — 5M2210Z
Logic Array Blocks (LABs) — 221
User Flash Memory — 8192 bits
Internal RAM — 212 Kbits
Maximum User I/O (family) — 203
User I/O (this package) — 160
Core Voltage (VCCINT) — 1.8 V
I/O Bank Voltage (VCCIO) — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
Number of I/O Banks — 4
Configuration Method — Internal flash (instant-on < 1 ms)
Process Technology — 0.30 um 6-metal-layer CMOS
RoHS 상태 — Compliant (Pb-free ball finish)

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