FDS6575 vs IRF7416TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FDS6575 par onsemi et IRF7416TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FDS6575 IRF7416TRPBF
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,28 $0,32
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A —
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Tension de seuil de grille [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 61 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET (IR MOSFET)
Boîtier SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — 1 (unlimited)

Fiches techniques et ressources

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