FDS6575 vs IRF7416TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDS6575 por onsemi e IRF7416TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FDS6575 IRF7416TRPBF
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,28 $0,32
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A —
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
Tensão de limiar de gate [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 61 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET (IR MOSFET)
Encapsulamento SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Nível MSL — 1 (unlimited)

Fichas técnicas e recursos

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