FDS6575 vs IRF7416TRPBF 比較

詳細な並列比較: FDS6575 メーカー: onsemi および IRF7416TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ FDS6575 IRF7416TRPBF
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.28 $0.32
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -20 V —
Continuous Drain Current (ID) -10 A —
On-Resistance (RDS(on)) 13 mOhm max at VGS = -4.5 V —
Gate Drive Voltage Range 2.5 V to 8 V —
ゲートしきい値電圧 [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 61 nC
Technology PowerTrench (rugged gate) HEXFET (IR MOSFET)
パッケージ SOIC-8 (SO-8) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Configuration Single MOSFET —
Gate Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -50 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
動作接合温度範囲 — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
MSLレベル — 1 (unlimited)

データシート&リソース

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