FDS6575 vs IRF7416TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: FDS6575 제조: onsemi 및 IRF7416TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | FDS6575 | IRF7416TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.28 | $0.32 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -10 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V | — |
| Gate Drive Voltage Range | 2.5 V to 8 V | — |
| 게이트 임계 전압 | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 61 nC |
| Technology | PowerTrench (rugged gate) | HEXFET (IR MOSFET) |
| 패키지 | SOIC-8 (SO-8) | 8-SO (SOIC-8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Configuration | Single MOSFET | — |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -10 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -50 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 20 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -3 V |
| Power Dissipation (PD) max at TA=25C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 50 C/W |
| 동작 접합 온도 범위 | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | 1 (unlimited) |