H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHI par SK hynix et H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $2,95 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Débit de données | 2400 MT/s | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Interface | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Auto-refresh and self-refresh |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |