H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHI por SK hynix y H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,25 | $2,95 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Velocidad de datos | 2400 MT/s | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Interfaz | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Auto-refresh and self-refresh |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensión de alimentación | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |