H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-RDC 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHI メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI - 4Gb DDR4-2400 SDRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-UHI H5AN4G8NBJR-RDC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.25 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Grade Industrial (-UHI suffix) —
データレート 2400 MT/s [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
インターフェース JEDEC DDR4 SDRAM DDR4 (Double Data Rate IV)
Bank Architecture DDR4 bank group architecture 8 banks with 4 bank groups (x8)
Refresh Self-refresh and auto-refresh support Auto-refresh and self-refresh
Termination On-die termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
電源電圧 — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

データシート&リソース

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