H5AN4G8NBJR-UHI vs H5AN4G8NBJR-RDC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHI от SK hynix и H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G8NBJR-UHI | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,25 | $2,95 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Организация памяти | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Корпус | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Industrial (-UHI suffix) | — |
| Скорость передачи данных | 2400 MT/s | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Интерфейс | JEDEC DDR4 SDRAM | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Bank Architecture | DDR4 bank group architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh support | Auto-refresh and self-refresh |
| Termination | On-die termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Напряжение питания | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |