H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-PBC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,30 $3,55
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
Taille de mémoire 8 Gbit —
Débit de données [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] —
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) TFBGA-96 (rectangular)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Interface Parallel, synchronous to both clock edges —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) —
Statut RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Density — 8 Gbit
Organisation de la mémoire — 512M x 16
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Type d'interface — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
Refresh — Auto / Self Refresh
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Number of Terminals — 96
Composition — CMOS

Fiches techniques et ressources

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