H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G6NAFR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-PBC | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.30 | $3.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 8Gb x16 (512M x 16) | — |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] | — |
| Family Data Rate Range | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) | TFBGA-96 (rectangular) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 인터페이스 | Parallel, synchronous to both clock edges | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Density | — | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| 인터페이스 유형 | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Composition | — | CMOS |