H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G6NAFR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NCJR-PBC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NAFR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NCJR-PBC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NAFR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V TFBGA-96 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NAFR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.30 $3.55
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
メモリサイズ 8 Gbit —
データレート [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] —
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) TFBGA-96 (rectangular)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
インターフェース Parallel, synchronous to both clock edges —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Density — 8 Gbit
メモリ構成 — 512M x 16
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
インターフェースタイプ — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
Refresh — Auto / Self Refresh
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Number of Terminals — 96
Composition — CMOS

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼