H5AN8G8NAFR-UHCR vs H5AN8G8NAFR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-UHCR par SK hynix et H5AN8G8NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NAFR-UHCR | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $4,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 2400 Mbps/pin (PC2400) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Interface | CMOS, synchronous DDR4 | SSTL12 |
| Boîtier | FBGA-78 (PBGA78) | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packing Suffix | R = Tape & Reel | — |
| Speed Grade Code | -UH | — |
| Generation Family | H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4) | — |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Application Class | Main memory / high bandwidth | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (VKC bin) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | — | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |