H5AN8G8NAFR-UHCR vs H5AN8G8NAFR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NAFR-UHCR メーカー: SK hynix および H5AN8G8NAFR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.20 $4.15
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
データレート 2400 Mbps/pin (PC2400) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
インターフェース CMOS, synchronous DDR4 SSTL12
パッケージ FBGA-78 (PBGA78) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packing Suffix R = Tape & Reel —
Speed Grade Code -UH —
Generation Family H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4) —
RoHS ステータス Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Class Main memory / high bandwidth —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh specification] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speed Grade — DDR4-2666 (VKC bin)
Burst Length — 8 (BL8)
Bank Group Architecture — Supported (per DDR4 JEDEC architecture)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes (DLL for output skew control)
Process Technology — CMOS
Recommended Application — Main memory requiring large density and high bandwidth

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼