H5AN8G8NAFR-UHCR vs H5AN8G8NAFR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-UHCR от SK hynix и H5AN8G8NAFR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR - 8Gb DDR4 SDRAM 2400 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHCR ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G8NAFR-UHCR H5AN8G8NAFR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,20 $4,15
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Скорость передачи данных 2400 Mbps/pin (PC2400) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Интерфейс CMOS, synchronous DDR4 SSTL12
Корпус FBGA-78 (PBGA78) 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packing Suffix R = Tape & Reel —
Speed Grade Code -UH —
Generation Family H5AN8GxNAFR-xxC (DDR4) —
Статус RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Class Main memory / high bandwidth —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Speed Grade — DDR4-2666 (VKC bin)
Burst Length — 8 (BL8)
Bank Group Architecture — Supported (per DDR4 JEDEC architecture)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes (DLL for output skew control)
Process Technology — CMOS
Recommended Application — Main memory requiring large density and high bandwidth

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену