H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-UHI par SK hynix et H5AN8G8NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NAFR-UHI | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,10 | $4,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Interface | DDR4 (JEDEC-class) | SSTL12 |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Technology | CMOS | — |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (VKC bin) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | — | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |