H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-VKC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NAFR-UHI 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NAFR-UHI | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.10 | $4.15 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 1G x 8 |
| 데이터 속도 | DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | DDR4 (JEDEC-class) | SSTL12 |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Technology | CMOS | — |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | DDR4-2666 (VKC bin) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Bank Group Architecture | — | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |