H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-VKC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-UHI от SK hynix и H5AN8G8NAFR-VKC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-VKC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,10 $4,15
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
Организация памяти 1G x 8 1G x 8
Скорость передачи данных DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock —
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс DDR4 (JEDEC-class) SSTL12
Корпус 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Без галогенов Yes —
Статус RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Technology CMOS —
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gb
Speed Grade — DDR4-2666 (VKC bin)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Burst Length — 8 (BL8)
Bank Group Architecture — Supported (per DDR4 JEDEC architecture)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes (DLL for output skew control)
Process Technology — CMOS
Recommended Application — Main memory requiring large density and high bandwidth

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену