H5AN8G8NAFR-UHI vs H5AN8G8NAFR-VKC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G8NAFR-UHI メーカー: SK hynix および H5AN8G8NAFR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI - 8Gb DDR4-2400 x8 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHI ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G8NAFR-UHI H5AN8G8NAFR-VKC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.10 $4.15
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
データレート DDR4-2400 (PC2400), 1200 MHz clock —
電源電圧 1.2 V —
インターフェース DDR4 (JEDEC-class) SSTL12
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
ハロゲンフリー Yes —
RoHS ステータス Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Technology CMOS —
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for UHI speed grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 8 Gb
Speed Grade — DDR4-2666 (VKC bin)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Burst Length — 8 (BL8)
Bank Group Architecture — Supported (per DDR4 JEDEC architecture)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes (DLL for output skew control)
Process Technology — CMOS
Recommended Application — Main memory requiring large density and high bandwidth

データシート&リソース

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