H5AN8G8NCJR-PBC vs K4A8G165WC-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-PBC par SK hynix et K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-PBC | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,40 | $23,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (1 GB) | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 (x8) | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Interface Voltage (VDDQ) | 1.2 V (SSTL12) | — |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] | 2400 Mbps |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Architecture | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked | — |
| Bank Structure | 8 internal banks, bank-group architecture | — |
| Burst Length | BL8 | 8 (BL8) |
| Caractéristiques | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh | — |
| Die Revision Family | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) | — |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C (case) |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| Typical Applications | PC/server main memory, embedded solder-down memory | — |
| Density | — | 8 Gb |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Interface | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| RoHS | — | Compliant |