H5AN8G8NCJR-VKC vs K4A8G085WC-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-VKC par SK hynix et K4A8G085WC-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NCJR-VKC | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $28,13 | $7,38 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C |
| Boîtier | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| Refresh | — | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |