H5AN8G8NCJR-VKC vs K4A8G085WC-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-VKC 제조: SK hynix 및 K4A8G085WC-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NCJR-VKC | K4A8G085WC-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $28.13 | $7.38 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (volatile) | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps/pin | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (1.2 V class) | — |
| Operating Current (typ) | 30 mA | — |
| Standby Current (typ) | 3 mA | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C | 0C to +85C |
| 패키지 | FBGA-78 (78-ball fine-pitch BGA) | 78FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh period] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 1G x 8 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Application Class | — | Computing / Embedded main memory |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Bank Group Architecture | — | DDR4 bank groups (8n prefetch) |
| Speed Bin Suffix | — | -BCWE (DDR4-3200, commercial temp) |
| Refresh | — | Standard DDR4 refresh mechanisms |
| On-Die Termination | — | Yes (DDR4 ODT) |